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1)  oxide field
栅氧电场
1.
By threshold voltage drift the NBTI degradation was characterized,and based on the research of stress time,oxide field,and temperature stress dependence of .
用阈值电压漂移量表征了NBTI效应的退化,深入讨论了影响NBTI效应的主要因素:应力作用时间、栅氧电场和温度应力,总结了阈值电压漂移与这些因素的关系,给出了一个经验-逻辑推理公式,对公式中的参数提取后可以得到NBTI寿命值,从而实现NBTI效应的可靠性评价。
2)  field-oxide gate
场氧栅
3)  leaked current of field oxide
场氧漏电
4)  gateoxidelayer conductance
栅氧化层电导
5)  gate-oxide leakage current
栅氧化层漏电流
1.
By simultaneously reducing subthreshold and gate-oxide leakage currents in dominio logic circuits,the proposed technique improve the performance and the power consumption of the circuits as compared to the dual threshold voltage dominio logic circuits with NMOS sleep transistors.
使用这种电路设计技术,可以同时减小多米诺逻辑电路中的亚阈值漏电流和栅氧化层漏电流,与带有NMOS休眠管的双阈值电压多米诺逻辑电路比较,可以改善电路性能和功耗。
6)  gate-oxide
栅氧
补充资料:2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
CAS:36366-93-5
分子式:C14H22O5

中文名称:2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇

英文名称:Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
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参考词条