3) cadmium zinc telluride crystal wafer
碲锌镉晶片
1.
The four cadmium zinc telluride crystal wafers of having different annealing condition were measured by means of Raman microscopy.
测量了 4 块不同退火条件处理碲锌镉晶片的显微 Raman 光谱,观察到了与碲锌镉材料及材料中Te 沉积晶格振动相对应的 Raman 散射峰,发现了位于 327 cm-1/332 cm-1 的新峰。
4) CZT wafer
碲锌镉单晶片
5) mercury cadmium telluride crystal
碲化镉汞晶体
6) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
补充资料：二磷化锗镉晶体
分子式：CdGeP2
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格、晶格常数0.5740nm。为直接间隙半导体,室温禁带宽度1.72eV,电子和空穴迁移率分别为1×10-2和2.5×10-3m2/(V·s),熔点570℃。用在锡溶液中生长法制备。为近红外发光和激光材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格、晶格常数0.5740nm。为直接间隙半导体,室温禁带宽度1.72eV,电子和空穴迁移率分别为1×10-2和2.5×10-3m2/(V·s),熔点570℃。用在锡溶液中生长法制备。为近红外发光和激光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条