1) CZT wafer
碲锌镉单晶片
2) cadmium zinc telluride crystal wafer
碲锌镉晶片
1.
The four cadmium zinc telluride crystal wafers of having different annealing condition were measured by means of Raman microscopy.
测量了 4 块不同退火条件处理碲锌镉晶片的显微 Raman 光谱,观察到了与碲锌镉材料及材料中Te 沉积晶格振动相对应的 Raman 散射峰,发现了位于 327 cm-1/332 cm-1 的新峰。
5) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
6) CZT
碲锌镉
1.
An Experimental Study of the Polishing Process for CZT Crystal;
碲锌镉晶体基片抛光工艺的实验研究
2.
Firstly,in Raman,we measures CZT s Raman spectra in Anti-Stokes.
文章对碲锌镉 (CZT) (1 1 1 )取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析。
补充资料：碲单晶
分子式：
CAS号：
性质：碲为周期表第VI族元素半导体。每三个原子由共价键结合成螺旋链。六角晶系，晶格常数0.446nm。熔点450℃。为直接带隙半导体。室温带宽度0.32eV。一般为p型材料，电子和空穴迁移率分别为9×10-2和5.7×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼法制备。为制作光电器件和热电器件的好材料。
CAS号：
性质：碲为周期表第VI族元素半导体。每三个原子由共价键结合成螺旋链。六角晶系，晶格常数0.446nm。熔点450℃。为直接带隙半导体。室温带宽度0.32eV。一般为p型材料，电子和空穴迁移率分别为9×10-2和5.7×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼法制备。为制作光电器件和热电器件的好材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条