1) Plasma etching apparatus
等离子刻蚀设备
2) ion etching equipment
离子刻蚀设备
3) Plasma Etching
等离子刻蚀
1.
Research on array carbon nanotubes film without substrate by centrifugal infiltration and plasma etching
离心渗透等离子刻蚀法制备无基底阵列式碳纳米管复合膜
2.
The methods for making carbon nanotubes(CNTs)/ polymer composite films by plasma etching are researched.
本文研究了等离子刻蚀碳纳米管(CNTs)聚合物复合膜的工艺,并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果。
4) plasma etching
等离子蚀刻
1.
At the present time,there are processes of punching,numerical control milling,chemical etching and plasma etching to open windows on the PI substrate.
目前采用的在基材上开窗口的方法有机械冲切、数控铣、化学试剂蚀刻法和等离子蚀刻法等。
5) plasma etching
等离子体刻蚀
1.
Effects of plasma etching on Nafion~ membrane performances;
等离子体刻蚀对Nafion~膜性能的影响
2.
Application of Emission Spectrometry in Trace Fluorine Analysis of Flue Gas from Plasma Etching;
发射光谱法在等离子体刻蚀废气微量F元素检测中的应用研究
3.
Study of the ECR plasma etching process of PZT ferroelectric thin film materials;
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
6) plasma etch
等离子体刻蚀
1.
Silicon-micro-accelerometer is fabricated by plasma etch technology.
采用等离子体刻蚀技术制作成硅微加速度计。
补充资料：小刻
1.古代的计时单位。分一昼夜为一百刻﹐每刻六十分﹐一百刻共六千分。秦汉以后﹐又分一昼夜为十二时﹐则每时为五百分﹐亦即八刻零二十分。将八刻命名为初一﹑初二﹑初三﹑初四﹐正一﹑正二﹑正三﹑正四﹐这是大刻。再将零数二十分﹐分为二小刻﹐每小刻各十分﹐命名为初初﹑正初﹐分别置于初一﹑正一之上。参阅清顾炎武《日知录·百刻》。 2.木板上雕成的小缺口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条