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1)  FAD [英][fæd]  [美][fæd]
真空磁过滤弧源沉积
1.
The results of surface modification of materials prepared by Ion Beam Assisted Deposition (IBAD), Filtered Arc Deposition (FAD) and Silicon－ On－ Insulator (SOI) by ion implantation were reported.
着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入 SOI材料合成的方法及其物理过程 ,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。
2)  FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
3)  Filtered arc deposition (FAD)
真空磁过滤弧沉积(FAD)
4)  FCVA
磁过滤阴极真空弧沉积系统(FCVA)
5)  FVAPD
磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD)
6)  filtered cathodic vacuum arc deposition
过滤阴极真空弧沉积
1.
Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method.
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 。
补充资料：真空沉积
分子式：
CAS号：

性质：真空中，在工件表面上沉积金属薄覆层的过程。

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参考词条