1) Vacuum arc deposition
真空弧沉积
2) vacuum arc deposit
真空电弧沉积
1.
Ti(C,N) deposits on high speed steel slice and single crystal silicon slice were prepared by plasma auxiliary vacuum arc deposition technology.
利用等离子辅助真空电弧沉积技术分别在高速钢片和单晶硅片制备了Ti(C,N)涂层,通过X 射线衍射和扫描电镜研究了不同离子加速电压对单晶硅片上涂层结构和组织形貌的影响,并测定了高速钢片上涂层的显微硬度,同时进行了耐磨性实验。
3) vacuum arc deposition(VAD)
真空电弧沉积(VAD)
4) Cathode vacuum arc deposition
阴极真空弧沉积
5) vacuum cathodic arc deposition
真空阴极电弧沉积
6) FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
补充资料：真空沉积
分子式：
CAS号：
性质：真空中，在工件表面上沉积金属薄覆层的过程。
CAS号：
性质：真空中，在工件表面上沉积金属薄覆层的过程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条