1) Cathode vacuum arc deposition
阴极真空弧沉积
2) vacuum cathodic arc deposition
真空阴极电弧沉积
3) FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
4) CVAD
阴极真空电弧离子沉积
1.
MgO thin films deposited on Si(100) were prepared by cathodic vacuum arc deposition(CVAD) at different oxygen flow rates.
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。
5) filtered cathodic vacuum arc deposition
过滤阴极真空弧沉积
1.
Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method.
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 。
6) FCVA
磁过滤阴极真空弧沉积系统(FCVA)
补充资料：阴极沉积
分子式：
CAS号：
性质：电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时，金属离子皆在阴极被还原并沉积析出，故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。
CAS号：
性质：电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时，金属离子皆在阴极被还原并沉积析出，故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条