1) DFAD
直流磁过滤弧源沉积
2) FAD
[英][fæd] [美][fæd]
真空磁过滤弧源沉积
1.
The results of surface modification of materials prepared by Ion Beam Assisted Deposition (IBAD), Filtered Arc Deposition (FAD) and Silicon- On- Insulator (SOI) by ion implantation were reported.
着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长,以及离子注入 SOI材料合成的方法及其物理过程 ,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。
3) FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
4) Filtered arc deposition (FAD)
真空磁过滤弧沉积(FAD)
5) Filtered cathodic vacuum arc source
磁过滤直流阴极真空弧源
6) FCVA
磁过滤阴极真空弧沉积系统(FCVA)
补充资料:磁放大器直流调速
磁放大器直流调速
speed control of DC mo-tor by magnetic amplifier
负载串联,然后通过桥式整流接到交流电压U.。 控制信号U。为。时,交流绕组加上交流电源后,两个铁芯均接近饱和但未饱和,电源电压全部降在交流绕组上,Ud输出接近为。。 当电压为正半周时,控制绕组上加有如图极性的控制信号U。,则铁芯2磁通将减少,铁芯1磁通将增加,并将出现饱和。一旦饱和,则Lol及Lal均无感应电动势而相当于一根导线,再加上控制电源内阻很小,Lol就相当于把LcZ短路。短路绕组的存在迫使铁芯2里的磁通不能变化,因而交流绕组LaZ两端的感应电动势亦为0.由于Lal、LaZ两个交流绕组的感应电动势均为。,所以电源电压U.从饱和瞬时开始将被输出到与交流绕组串联的直流电动机电枢两端。当交流电源工作于负半周时,则LaZ先达到饱和,强迫Lal中的磁通不变,翰出负电压,通过二极管整流桥把翰出的电压整流成单方向的脉动电压Ud。┌───┐│! ││卜肠盈││广 │└───┘ ┌──┐┌───┐│凡 ││! ││〕忆││巨肠盈││三 ││广 ││ │└───┘│ │ └──┘泣 磁放大界供电进行直流调速的原理图 若控制信号加大,那么铁芯中磁通达到饱和的时间提前,翰出电压就相应加大.将整流后的电压供给直流电动机电枢或励磁绕组时,直流电动机的转速就得到控制。其调速范围一般为1,l。,在有速度反债时可达到1:100. 磁放大器按照铁芯结构的不同类型可分为O型、n型和111型,按容t来分,10 kw以下一般用单相线路,大容t的要用三相线路,容量可达800 kw,在要求可逆时则需采用两相线路。 由于磁放大器铁芯是由硅钢片构成,无旋转部分,控制绕组与主回路互相绝缘,且可以设计成多个控制绕组进行复合控制,所以结实可靠,过载能力强,噪声小,控制绕组之间没有电的联系,控制灵活,因而适合于各种需要改变电压的自动控制场合。 20世纪60年代左右出现了晶体管,它不像磁放大器那样有铁芯和绕组,相比之下具有体积小、材料省、重t轻、效率高、放大倍数大的优点,所以磁放大器直流调速已被晶体管相位控制直流调速所取代(见晶闸借相位拉制立流调速)。C .fangdoq一Zhillu tloosu磁放大器直流调速(speed eontrol ofL〔motor by magnetie amplifier)利用磁放大器输出电压可调的直流电,实现直流电动机调速的技术。 磁放大器的工作原理和进行直流调速的原理图如图所示。图中虚线框为磁放大器,它有两个铁芯1和2.每个铁芯上装有两个绕组,一个称控制绕组L。,一个称交流绕组La,两个控制绕组反极性串联后接到低内阻直流控制电压队,两个交流绕组顺极性相连后与
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参考词条