1) electron cyclotron resonance-microwave plasma chemical vapor deposition(ECR-MPCVD)
电子回旋共振-微波等离子体化学气相沉积
2) Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition
微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积
3) ECR-PECVD
电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积
4) HW-MWECR-CVD
微波电子回旋共振化学气相沉积
1.
Hydrogenated microcrystalline silicon(μc-Si∶H)films with high crystalline volume fraction were deposited using a novel hot wire assisted microwave electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition(HW-MWECR-CVD)system.
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。
5) microwave electron cyclotron resonance chemical vapor deposition
微波电子回旋共振-化学气相沉积
6) method of ECR plasma CVD
电子回旋共振等离子体化学汽相沉积法
补充资料：微波等离子体化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条