1) ECR-PEMOCVD
电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积
1.
GaN films were deposited on corning 7101 glass substrates by electron cyclotron resonance plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition(ECR-PEMOCVD) system.
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。
2) ECR-PECVD
电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积
3) Plasma enhanced metal-organic chemical vapour deposition
等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积
4) MOPCVD
金属有机物等离子体化学气相沉积
5) electron cyclotron resonance-microwave plasma chemical vapor deposition(ECR-MPCVD)
电子回旋共振-微波等离子体化学气相沉积
6) Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition
微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积
补充资料：金属有机物化学气相沉积
金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapour deposition)
又称有机金属化合物气相淀积法。一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。该方法现在主要用于化合物半导体的气相生长上。用该法制备薄膜时，作为含有化合物半导体元素的原料化合物，必须满足常温稳定且易处理，在室温附近有适当的蒸气压，反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层等条件。因此常选用金属的烷基或芳基衍生物，羟基衍生物、羟基衍生物等为原料。它最主要的特点是沉积温度低。另外由于不采用卤化物原料，因此在沉积中不存在刻蚀反应;适用范围广，几乎可生长所有化合物和合金半导体;生长温度范围宽，适宜大批量生产。但该方法也存在一些缺点:难以进行原位监测生长过程，许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃;反应温度低，因此有时在气相中就发生反应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条