1) MPCVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD;
微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线
2.
Chain-like carbon nanotube(CNTs) thin films were rapidly deposited on Ti-coated Al2O3 substrate by MPCVD(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition) process for only 1min with CH4 and H2 as reaction gases.
以镀有Ti层的Al2O3为衬底,在微波等离子体化学气相沉积系统中,以CH4和H2为反应气体,快速制备了链状碳纳米管薄膜(沉积时间仅1 min)。
3.
C3N4 thin films have been prepared on Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99。
2) microwave plasma chemical vapor deposition
微波等离子体化学气相沉积
1.
Using microwave plasma chemical vapor deposition technology,diamond films were deposited on the silicon wafer of 51~76 mm in diameter.
利用自行设计微波等离子体化学气相沉积装置在直径51 mm和76 mm硅片上制备金刚石薄膜。
2.
A diamond film deposited on hard-metal was obtained by microwave plasma chemical vapor deposition of a methan-hydrogen-oxygen gas mixture.
采用ＣＨ＿４－Ｈ＿２－Ｏ＿２微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金表面沉积金刚石薄膜，研究了ＴｉＣ中间过渡层对金刚石薄膜沉积效果的作用及粘结机理。
3.
The globe-like diamond microcrystalline aggregates were fabricated by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
在覆盖金属钛层的陶瓷上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备出类球状微米金刚石聚晶膜。
3) microwave plasma CVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
In this paper, carbon nanotubes (CNTs) are synthesized by microwave plasma CVD directly from an inexpensive raw material source, ilmenite.
以廉价钛铁矿为原料,利用微波等离子体化学气相沉积法,直接制备了纳米碳管,并在适当的条件下,同时将其中的钛氧化物碳化而获得纳米碳管碳化钛复合粉体材料。
6) MWCVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
By means of microwave chemical vapor deposition (MWCVD) method,CH 3OH/H 2 gas mixtures are used as a gas source,along with a 30nm amorphous thick silicon as a transition layer,a diamond film can successfully be grown on a stainless steel substrate,with a lowest growth temperature of 420℃.
利用甲醇－氢（ＣＨ３ＯＨ－Ｈ２）混合气体为气源，３０ｎｍ厚的无定形硅为过渡层，借助于微波等离子体化学气相沉积（ＭＷＣＶＤ）成功地将金刚石薄膜生长在不锈钢上，其最低生长温度可至４２０℃，并且甲醇－氢混合气体比传统的甲烷－氢（ＣＨ４－Ｈ２）更具优势，测试表明这种金刚石薄膜有希望作为耐磨层在工业上应
2.
Is this study, cemented tungsten carbide (WC-wt8%Co) was diamond coated by the microwave plasma chemical vapor deposition (MWCVD) method.
在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,以WC -8%Co为基体 ,采用氢等离子体脱碳、磁控溅射镀W、碳化等方法 ,制备了微晶WC过渡层。
补充资料：微波等离子体化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条