1) microwave plasma chemical vapor deposition
微波等离子体化学气相沉积法
1.
In this paper,carbon nanotubes electrodes are directly synthesized on the surface of electrodes substrate through microwave plasma chemical vapor deposition,then they are disposed by air plasma.
利用微波等离子体化学气相沉积法制备了与电极基底结合良好的纳米碳管电极,用空气等离子体将该纳米碳管电极功能化,并以功能化的电极为工作电极,利用循环伏安法对毒性很强的酚的混合物进行检测。
2.
Under the assistant effect of sulfur, carbon nanotubes electrodes were prepared on the end of tungsten strings directly through microwave plasma chemical vapor deposition.
基于此目的,本研究直接利用微波等离子体化学气相沉积法在钨丝截面上制备出了纳米碳管电极,利用该电极对酸性溶液中的Cu2+进行了检测,并与具有相同截面积的石墨电极的电化学检测性能作了比较,分析了在相同工艺条件下获得的不同纳米碳管电极的电化学检测性能的均一性、稳定性和重现性。
3.
Under the catalytic effect of nickel particles, spring-like carbon filaments were synthesized through microwave plasma chemical vapor deposition.
以镍为催化剂,利用微波等离子体化学气相沉积法制备了弹簧状碳纤维。
2) MPCVD
微波等离子体化学气相沉积法
1.
C 3N 4 thin films have been prepared on Pt substates by microwave plasma chemical vapor deporsition (MPCVD) technique.
采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），用高纯氮气（９９。
2.
The nucleation behaviour of diamond films on Si(100) substrates is investigated with and without bias field by MPCVD.
探讨了用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Si(100)衬底上加偏压电场和不加偏压电场情况下金刚石膜的成核行为。
3) MPCVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD;
微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线
2.
Chain-like carbon nanotube(CNTs) thin films were rapidly deposited on Ti-coated Al2O3 substrate by MPCVD(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition) process for only 1min with CH4 and H2 as reaction gases.
以镀有Ti层的Al2O3为衬底,在微波等离子体化学气相沉积系统中,以CH4和H2为反应气体,快速制备了链状碳纳米管薄膜(沉积时间仅1 min)。
3.
C3N4 thin films have been prepared on Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99。
4) microwave plasma chemical vapor deposition
微波等离子体化学气相沉积
1.
Using microwave plasma chemical vapor deposition technology,diamond films were deposited on the silicon wafer of 51~76 mm in diameter.
利用自行设计微波等离子体化学气相沉积装置在直径51 mm和76 mm硅片上制备金刚石薄膜。
2.
A diamond film deposited on hard-metal was obtained by microwave plasma chemical vapor deposition of a methan-hydrogen-oxygen gas mixture.
采用ＣＨ＿４－Ｈ＿２－Ｏ＿２微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金表面沉积金刚石薄膜，研究了ＴｉＣ中间过渡层对金刚石薄膜沉积效果的作用及粘结机理。
3.
The globe-like diamond microcrystalline aggregates were fabricated by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
在覆盖金属钛层的陶瓷上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备出类球状微米金刚石聚晶膜。
5) microwave plasma CVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
In this paper, carbon nanotubes (CNTs) are synthesized by microwave plasma CVD directly from an inexpensive raw material source, ilmenite.
以廉价钛铁矿为原料,利用微波等离子体化学气相沉积法,直接制备了纳米碳管,并在适当的条件下,同时将其中的钛氧化物碳化而获得纳米碳管碳化钛复合粉体材料。
6) microwave plasma chemical vapor deposition(CVD)
微波等离子体化学气相沉积(CVD)
补充资料：等离子体化学
| 等离子体化学 plasmatic chemistry 研究低温等离子体条件下化学反应的化学分支学科。物质一般有固态、液态和气态三态，等离子体却被认为是物质的第四态。为了使气体变成等离子体，必须使其电离。根据电离度大小，将等离子体分成两类：高温等离子体（电离度大于0.1％）和低温等离子体（电离度小于0.1％）。在太阳内部，等离子体温度极高，是高温等离子体，所发生的反应是核聚变。等离子体化学主要研究低温等离子体条件下发生的化学反应。产生等离子体的方法有三种：①热电离。任何物质加热到足够高的温度都会成为等离子体 ；② 辐射电离。用高能辐射如紫外线、X射线、γ射线等辐照稀薄气体 ，使其电离；③放电电离。气体在外加电场（直流电场和射频电场）作用下放电。人为进行的等离子体化学反应主要用第三种方法。 气体放电时可发生化学反应，如空气中的电火花可产生臭氧；氢气和氮气在碳电弧放电时可生成氢氰酸 HCN，这些都是等离子体化学反应。但是，低温等离子体化学作为一门学科出现，还是20世纪60年代的事。 等离子体条件下发生化学反应的大致过程是：通过低气压下的辉光放电或高频放电，产生低温等离子体，自由电子从电场中获得足够的能量之后，跟气体中的原子或分子碰撞，使其激发或电离，由此产生的激发态分子、离子、自由基都具有较高的化学活性，可发生在一般条件下无法进行的化学反应，例如，使有机分子断裂或聚合。用等离子体聚合的方法可以制备各种特殊性能的聚合物薄膜，有的薄膜具有优良的介电性质，可作为微电子器件的电容元件或集成电路中的绝缘材料。用特殊的有机单体通过等离子体聚合可在各种人造器官上形成抗血凝的薄膜。由等离子体聚合制备的非晶态硅在可见光范围内吸收系数比晶态硅大30倍，它的光电转换效率高、制备工艺简单、成本低，可用作太阳能电池的材料。低温等离子体还能够与金属发生反应，用金属作电极，在其表面上可形成一层特殊的物质，如铁表面经氮化处理后生成氮化铁 ，可提高表面的耐磨、耐蚀 、耐热性能和疲劳强度。用同样的办法进行表面氧化处理，可制备几百埃的SiO2、Al2O3、Ta2O5等薄膜，在宇航工业上可用作性能良好的耐高温材料。 |
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参考词条