1) process of the chemical vapor deposition(CVD)in crystal growth
晶体生长的化学气相淀积过程
2) PECVD
等离子体化学气相淀积
1.
In this paper,plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique was used to deposit the dielectric P-SiO2 films and P-SiON films on the silicon wafer under the conditions of low temperature and low pressure with TEOS organic sourse.
本文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，在低温低压下，使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂，Tetraethylorthosilicate，Si(C_2H_5O)_4)为反应源在硅片表面上生长P-SiO_2介质膜以及P-SiON钝化膜，利用制程参数(RF功率、基板温度、气体流量以及反应压力)的改变，来探讨对薄膜的生长特性、硬度、应力、附着性及折射率的影响。
3) CVD
化学气相淀积
1.
Development of double-chamber UHV/CVD system;
双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制
2.
The applications of CVD in the preparations of ultrafine powders,nanocompositers,and functionally gradient materials were discussed,the processing features of CVD,the properties and the microstructures of the materials thus prepared were analyzed with specific examples.
本文讨论了化学气相淀积在超细粉，纳米复合材料及梯度功能材料制备中的应用，并结合实例分析了化学气相淀积的工艺特性及所制备材料的性能、显微组织特点。
3.
12%,were epitaxially deposited on Si(100) substrates via chemical vapor deposition(CVD) process,using C2H4 and SiH4 as C and Si resources,respectively.
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1。
4) chemical vapor deposition
化学气相淀积
1.
Porous γ -Al 2O 3 ceramic membranes were modified by atomic layer chemical vapor deposition technique.
采用原子层控制生长化学气相淀积方法对多孔γ -Al2 O3陶瓷膜进行缩孔修饰研究 。
2.
SiCl_4 and NH_3 as its precursors ,amorphous Si_3N_4 ultrafine powder was synthesized with high purity and narrow size distribution by radio frequency plasma chemical vapor deposition.
利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36。
3.
Ultrafine AIN powder was synthesized by chemical vapor deposition of anhydrous AlCl_3 and NH_3 at 700～1000℃.
在700～1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。
5) thermal chemical vapor deposition
热化学气相淀积
1.
Using standard photolithography,patterned carbon nanotube line arrays were fabricated on silicon substrates by thermal chemical vapor deposition.
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。
补充资料：晶体气相生长技术
晶体气相生长技术
technique of growing crystals from vapor-phase
晶体气相生长技术technique of growing crys-tals from vapor一phase通过气相输运生长晶体材料的方法。主要用于薄膜制备，或在其他技术制备的晶体上生长薄膜，即进行气相外延生长。晶体气相生长技术也可用于制备块状晶体，但由于其生长速度很缓慢，通常小于10--‘厘米/分(而熔体生长可达10--2厘米/分)，故只在某些特殊的情况下用于大单晶生长。 特点与其他晶体生长技术相比，气相生长能满足大尺寸薄膜制备的要求;能用来对形状不规则的衬底进行镀膜;没有生长界面与液相或固相的接触;在衬底上进行外延生长，可最大程度地控制薄膜的厚度、组成、化学计量和掺杂，从而能对材料的性能进行控制。此外，它可用于沉积多晶氧化物和金属薄膜，以提高制品的机械和结构性能、防腐蚀和耐摩擦能力。气相生长已成为制备薄层金属、绝缘器和半导体材料最常用的一种方法。 种类气相生长技术分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。前者主要用于单组分生长系统;后者则用于多组分生长系统，即其生长组分是通过化学反应获得的。单组分生长避免了伴随添加组分的杂质和扩散问题，但一般需要较高的温度。多组分生长则通常在较低的温度下进行，适于非同成分挥发材料和单组分生长所需温度在实验上无法实现等情况下的薄膜生长。 物理气相沉积包括真空蒸发和溅射两种方法。 真空蒸发是利用升华二凝固技术，通过电阻或电子束提供热能，将源材料直接蒸发到衬底上，可用于生长金属、合金、半导体和氧化物等薄膜。由于只有极少的材料具有足够的适合于生长的蒸气压，因此升华一凝固技术具有很大的局限性，一般需添加一辅助组分，该组分与非挥发性材料络合形成挥发性物质，此时真空蒸发借助于化学反应生长，故有时又称反应真空蒸发。自20世纪70年代始，由于生长高质量半导体外延层的需要，分子束外延作为一门新的真空蒸发技术，已发展成熟，它能实现对蒸发组分的供应进行严格的控制。利用分子束外延技术可在500一600℃的温度范围内生长高质量的硅、砷化稼和其他半导体外延层(见晶体外延生长技术)。 气相生长过程中，若存在较多的挥发组分，则通过真空燕发来对组分进行控制是困难的，常采用溅射方法来进行薄膜生长。溅射法被广泛用于制备多晶质和无定形薄膜，只要适当地加以控制，也可制备单晶薄膜。由于溅射采用的是电场蒸发而不是热蒸发，故薄膜可以在比普通升华一凝固生长更低的温度下生长。溅射法还能对组分进行良好的控制，并且能比真空蒸发进行更大面积的镀膜。 常用的戮射方法有以下3种。
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参考词条