1) thin film /PECVD
薄膜/等离子体增强化学气相淀积
2) PECVD
等离子体增强化学气相淀积
1.
Fluorine and carbon-doped silicon oxide films (SiCOF) were deposited from tetraox- ethylsilane (TEOS) and octafluorocyclobutane (C4F8) by plasma-enhanced chemical yapor deposi- tion (PECVD).
以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）。
2.
An investigation is made into preparations of thin gate-oxides for strained Si channel MOSFET s using PECVD at 300 °C and low-temperature (700-800 °C) thermal oxidation, respectively.
分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。
3) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
等离子体增强化学气相淀积
4) plasma enhanced chemical vapour deposition
等离子体增强化学气相淀积
5) plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
等离子体增强化学气相淀积
1.
In the experiment herein,both SiO2 thin films and Si3N4 thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on p-type silicon(111) substrate.
利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析。
6) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
等离子体增强化学气相淀积(PECVD)
补充资料：化学气相淀积
英文:cvd(chemical vapor deposition)
指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用cvd方法制备。
化学气相淀积特点：淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条