1) mid-frequency dual-magnetron sputtering
中频对靶磁控溅射
1.
Investigation on Cr-doped diamond-like carbon films prepared by mid-frequency dual-magnetron sputtering;
中频对靶磁控溅射制备含铬类金刚石薄膜
2) MF reactive dual magnetron sputtering
中频双靶反应磁控溅射
5) MF sputtering target
中频溅射靶
6) medium frequency magnetron sputtering
中频磁控溅射
1.
Al containing diamond-like carbon(Al-DLC) thin films were deposited on Si substrate by medium frequency magnetron sputtering.
采用中频磁控溅射技术在单晶硅表面制备含铝类金刚石(Al-DLC)薄膜,利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪、红外光谱仪、纳米压痕仪和微摩擦磨损试验机等考察薄膜表面形貌、结构及其摩擦磨损性能。
2.
Er~(3+)_- doped Al_2O_3 films were fabricated by medium frequency magnetron sputtering, strong photoluminescence at 1535 nm was detected at the room temperature.
利用中频磁控溅射方法沉积制备了掺铒Al2O3薄膜,室温下测量了薄膜在1535nm波长处的光致发光光谱和抽运功率、掺铒浓度、退火温度对光致发光光谱强度的影响。
3.
This thesis presents investigations on the structure and properties of A1N films and nc-AlN/a-Si3N4 prepared by medium frequency magnetron sputtering.
本工作研究了中频磁控溅射制备AIN薄膜和nc-AIN／a-Si_3N_4复合薄膜及其结构与特性，并且研究了Mn~+离子注入AIN薄膜的电学和磁学性质。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条