1) medium frequency reactive magnetron sputtering
中频反应磁控溅射
1.
Effect of Ce~(3+)concentration on luminescent properties of Al_2O_3:Ce~(3+)films by medium frequency reactive magnetron sputtering;
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响
2) medium frequency magnetron reaction sputtering
中频磁控反应溅射
1.
AlN thin films were successfully deposited on Si(111)substrates by medium frequency magnetron reaction sputtering,which were in Ar and N2 mixtures with high pure Al target.
利用中频磁控反应溅射技术,以高纯Al为靶材、高纯N2为反应气体,在Si(111)衬底上成功制备出氮化铝薄膜。
3) mid-frequency alternative reactive magnetron sputtering
中频交流反应磁控溅射
1.
N-doped TiO2 films were prepared by mid-frequency alternative reactive magnetron sputtering.
用中频交流反应磁控溅射方法制备了N掺杂的TiO2薄膜。
4) MF reactive dual magnetron sputtering
中频双靶反应磁控溅射
5) Mid-frequency direct current magnetron sputtering
中频直流反应磁控溅射
6) RF reactive magnetron sputtering
射频磁控反应溅射
1.
DLC:N thin films were deposited on Si(100) wafer substrate by RF reactive magnetron sputtering with a highly pure graphite target,where the gas mixture containing argon and nitrogen was used as sputtering gas.
采用射频磁控反应溅射法,Ar气为溅射气体,N2气为反应气体,用高纯石墨靶在Si(100)片上制备了掺氮类金刚石薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM),表征了掺氮类金刚石薄膜的微观结构、表面及截面形貌。
2.
HfOxNy thin films were deposited by RF reactive magnetron sputtering on multi-spectral ZnS substrates at different oxygen partial pressure.
采用射频磁控反应溅射法在不同氧分压条件下制备了氮氧化铪薄膜,薄膜沉积过程在氧气、氮气和氩气的混合气氛中进行,所用衬底为多光谱硫化锌材料。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条