1) facing-target magnetron sputtering system
对靶磁控溅射系统
2) facing-target magnetron sputtering
对向靶磁控溅射系统
5) mid-frequency dual-magnetron sputtering
中频对靶磁控溅射
1.
Investigation on Cr-doped diamond-like carbon films prepared by mid-frequency dual-magnetron sputtering;
中频对靶磁控溅射制备含铬类金刚石薄膜
6) direct current facing targets magnetron sputtering
直流对靶磁控溅射
1.
direct current facing targets magnetron sputtering and vacuum annealing.
本文采用两种制备方法在Si3N4基底上制备得到具有金属-绝缘体相变特性的氧化钒薄膜,即:一、离子束溅射高价非稳态氧化钒薄膜和还原热处理制备;二、直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜和真空热处理制备。
2.
Vanadium oxide thin films were deposited by reactive direct current facing targets magnetron sputtering,and then processed in oxygen ambience to fabricate phase transition vanadium oxide thin films.
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条