1) vapor-depositing polymerization
气相淀积聚合
2) vapor deposition
气相淀积
1.
Two important parameters in the process of laser induced plasma chemical vapor deposition film size and deposition rate are deduced with shock wave theory The influence of laser intensity,atmosphere and pedestal temperature on the deposition process is analyse
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。
3) vapor deposition polymerization
气相沉积聚合
1.
Recent progress of vapor deposition polymerization(VDP) for the preparation of polyimide films was reviewed.
综述了一种新的制备聚酰亚胺(P I)薄膜的方法——气相沉积聚合(VDP)的研究进展,用此方法制得的聚合物膜具有纯度高、膜厚可控、可实现保形涂敷、可制备难溶难熔聚合物、集聚合与成膜为一体等优点。
4) CVD
化学气相淀积
1.
Development of double-chamber UHV/CVD system;
双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制
2.
The applications of CVD in the preparations of ultrafine powders,nanocompositers,and functionally gradient materials were discussed,the processing features of CVD,the properties and the microstructures of the materials thus prepared were analyzed with specific examples.
本文讨论了化学气相淀积在超细粉，纳米复合材料及梯度功能材料制备中的应用，并结合实例分析了化学气相淀积的工艺特性及所制备材料的性能、显微组织特点。
3.
12%,were epitaxially deposited on Si(100) substrates via chemical vapor deposition(CVD) process,using C2H4 and SiH4 as C and Si resources,respectively.
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1。
5) chemical vapor deposition
化学气相淀积
1.
Porous γ -Al 2O 3 ceramic membranes were modified by atomic layer chemical vapor deposition technique.
采用原子层控制生长化学气相淀积方法对多孔γ -Al2 O3陶瓷膜进行缩孔修饰研究 。
2.
SiCl_4 and NH_3 as its precursors ,amorphous Si_3N_4 ultrafine powder was synthesized with high purity and narrow size distribution by radio frequency plasma chemical vapor deposition.
利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36。
3.
Ultrafine AIN powder was synthesized by chemical vapor deposition of anhydrous AlCl_3 and NH_3 at 700～1000℃.
在700～1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。
6) physical vapor deposition
物理气相淀积
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条