1) MOCVD
金属有机化合物气相淀积
1.
TiO2 thin films are prepared on nSi (100) substrate by MOCVD.
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。
2) MOVPE
金属有机化合物气相淀积
1.
The wafers for GaInP/GaAs dualjunction tandem solar cells were grown by MOVPE.
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。
3) metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
金属有机化合物气相淀积
1.
Materials of InGaAs/AlGaAs separate confinement heterostructure strained single quantum well were grown by the technology of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。
4) MOCVD
金属有机化合物化学气相淀积
1.
This paper presents a new fuzzy predictive control method for the MOCVD device control system set to handle the non-linearity,time variability and large delay of plant controls.
为解决金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题,给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的复合控制方法。
5) MOCVD
金属有机化学气相淀积
6) MOCVD
金属有机物化学气相淀积
1.
The GaN-based wafers for UV photodetectors array are grown successfully by MOCVD method.
报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料,生长的高Al组分AlxGa1-xN(x≥0。
补充资料：金属有机化合物气相外延
金属有机化合物气相外延
metalorganic vapor phase epitaxy
物的缺点是价格昂贵。③在图形衬底上或在聚焦离子中选择生长化合物半导体薄膜材料。选择外延是一种直接控制横向尺寸的外延方法。它可以在亚微米级水平上从 实现典型的平面结构沉积至完成任意横向侧面沉 积。MOVPE在本质上通常是平面结构生长的。 但如果应用了卤化物为基的MO源，例如(CZHS) GaCI和(CZHS)ZAICI，则可以进行广阔的生长条 件范围内的GaAs和GaAIAs的选择外延。这样 形成的小面积、亚微米的选择异质结构表明，它是 选择外延在横向限定生长结构中最早应用的。③利 用应变层在超出晶格匹配的体系中扩大外延材料的 生长和应用。这方面原子层外延(ALE)是制备应 变层超晶格(SLS)结构的有力手段，因为ALE可 以被逐层生长模型的自限制机理控制为单原子层生 长。④生长新的化合物材料体系，例如GalnAssb 和GaAIA息Sb，InAssb，GalnP和AIGalnP， GaN和AIN，SIGe，Znse和CdZnTe/ZnTe以 及HgCdTe/CdTe等。此外，MOVPE也用于试制高温超导薄膜。由于MOVPE和LPE一样，需要足够的相图，溶解度和要求与衬底的晶格匹配，因此MOVPE的高温超导薄膜生长过程比较复杂，使之只获得部分的成功。MOVPE生长高温超导薄膜的质量较高和生长速率较快。今后在这方面尚需改进MOVPE技术，优化MO源和了解MO源的分解和表面反应等。在MOVPE材料制成的新器件中，主要有面发光激光器、短波长(0.62一0.67召m)的GalnP/GaAllnP发光管和激光器、应变量子阱激光器和量子阱红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条