1) pulsed laser deposition
激光溅射沉积
1.
We prepare GaN thin films growing on n-Si(111)substrates by the method of pulsed laser deposition(PLD).
利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si(111)基片上沉积氮化镓(GaN)薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,分析了薄膜生长的动力学过程,发现其表面具有自仿射分形特征。
2) pulsed laser deposition
脉冲激光溅射沉积
3) Sputtering
[英]['spʌtə] [美]['spʌtɚ]
溅射沉积
1.
A systematic methodology has been proposed to investigate the feasibility of the manufacture of ?3" double-sided YBCO thin films by inverted cylindrical sputtering(ICS) with bi-axial substrate rotation.
在溅射沉积方法的真空热传递环境中,溅射气体的热传导比加热器的辐射热传递小3个数量级,可以忽略不计。
4) reactively pulsed laser ablation
反应式脉冲激光溅射沉积
1.
AlN (Aluminum Nitride) polycrystalline films have been deposited by reactively pulsed laser ablation with plasmaassisted at low temperature.
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡｌＮ多晶膜。
5) Plasma enhanced pulsed laser deposition (PE-PLD)
等离子体增强脉冲激光溅射沉积(PE-PLD)
6) Laser ablation
激光溅射
1.
Synthesis of perchlorinated polycyclic aromatic hydrocarbon by laser ablation;
激光溅射合成全氯代稠环芳烃
2.
A laser ablation method for the synthesis of semiconductor nanowires is introduced.
介绍了激光溅射方法合成半导体纳米线的原理、生长机理 (包括金属辅助生长机理和氧化物辅助生长机理 )以及影响纳米线直径和长度的因
3.
Co nclusion:The results in this work indicated that laser ablation as a physical me thod was combined with conditions of chemical building-up reactions,and it can be u sed as a kind of macroscopi.
以脉冲激光溅射多相反应体系 ,变换固体靶和气相、液相反应物的不同组成 ,合成得到不同产物 。
补充资料：激光化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条