2) Sputtering
[英]['spʌtə] [美]['spʌtɚ]
溅射沉积
1.
A systematic methodology has been proposed to investigate the feasibility of the manufacture of ?3" double-sided YBCO thin films by inverted cylindrical sputtering(ICS) with bi-axial substrate rotation.
在溅射沉积方法的真空热传递环境中,溅射气体的热传导比加热器的辐射热传递小3个数量级,可以忽略不计。
3) SGA co deposition
溅射-气体-聚集共沉积
5) ion beam sputtering deposition
离子束溅射沉积
1.
Diamond-like carbon films(DLC films) were prepared by ion beam sputtering deposition and the effects of the bias on the properties of the films were studied.
采用离子束溅射沉积镀膜法制备了DLC薄膜,研究了偏压对薄膜性能的影响。
6) pulsed laser deposition
激光溅射沉积
1.
We prepare GaN thin films growing on n-Si(111)substrates by the method of pulsed laser deposition(PLD).
利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si(111)基片上沉积氮化镓(GaN)薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,分析了薄膜生长的动力学过程,发现其表面具有自仿射分形特征。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条