说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 镧钛酸铅
1)  PLT
镧钛酸铅
1.
The results show that the crystalline temperature of PLT gel is about 500℃,the size of the powders is about 30nm when heated temperatures at 650℃ for 2h.
采用溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸铅(PLT)纳米晶,分别用X射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪和差热扫描量热分析仪对其晶化温度、结构、形貌特性进行了分析测试。
2)  Pb_(1-x)La_xTiO_3
钛酸铅镧
3)  PLZT
锆钛酸铅镧
1.
Preparation and Properties of PLZT Thin Films;
锆钛酸铅镧薄膜的制备与性能研究
2.
PLZT films have many significant applications in the ferroelectric integrated fields such as ferroelectric random access memories (FeRAM), dynamic random access memories (DRAM), etc.
锆钛酸铅镧铁电薄膜(PLZT)由于具备许多优良的铁电、介电性能、压电效应和电光效应等物理性能,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。
3.
Polycrystalline dysprosium (Dy) doped lanthanum zirconate-titanate (PLZT) ceramics with compositional formula [Pb0.
针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0。
4)  PLT
掺镧钛酸铅
1.
Ferroelectric lanthanum-doped lead titanate (PLT) thin films have been fabricatedon Si(100)substrates by RF magnetron sputtering.
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜。
2.
1))TiO_3,PLT10],were grown by RF magnetron sputtering,on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates under the same growth conditions,respectively.
采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
3.
1))TiO_3,PLT10]ferroelectric thin films were grown on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates by RF magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
5)  PLZST
锆钛锡酸铅镧
1.
Lead lanthanum zirconate titanate stannate(PLZST) perovskite single crystal with size of 2mm×(2mm×)2mm was grown by a flux method.
采用复合助熔剂技术,生长了完整、尺寸为2 mm×2 mm×2 mm的锆钛锡酸铅镧(简称PLZST)单晶。
6)  PLZT
掺镧锆钛酸铅
1.
After being prolyzed and sintered, The PLZT ceramic fibers with a diameter of 25μwere obtained.
以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维。
补充资料:锆钛酸镧铅铁电陶瓷
分子式:
CAS号:

性质:锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35,x=0.02~0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料,有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15~40MPa,温度为1100~1250℃),保持10~30h,可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变,并引起光学性质变化(如双折射率,散射,表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜),图像存储器,显示器及感光显像管(器)等。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条