2) PLZT films
锆钛酸铅镧薄膜
3) ferroelectric film capacitor
掺镧钛酸铅薄膜
5) PbTiO3 film
钛酸铅薄膜
1.
For example,the PbTiO3 films grew in layer-to-island mode on MgO(001) with increased density of steps but in island mode on Si(100),possibly because the Si lattice mismatch of 3% is much higher than 0.
本文采用反射式高能电子衍射(RHEED)监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。
6) Ba 1-x La x Nb y Ti 1-y O 3 thin film
钛酸镧钡铌薄膜
补充资料：锆钛酸镧铅铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条