1) lanthanum-doped lead zirconate-lead titanate
掺镧锆酸铅—钛酸铅
2) PLZT
掺镧锆钛酸铅
1.
After being prolyzed and sintered, The PLZT ceramic fibers with a diameter of 25μwere obtained.
以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维。
3) lanthanum-modified lead zirconate titanate(PLZT)
掺镧锆钛酸铅(PLZT)
4) lead lanthanum zirconate titanate
掺镧锆钛酸铅
1.
Based on the optical characteristics of lead lanthanum zirconate titanate(PLZT) electro-optic ceramic,an optical phased-array beam deflector with up-down electrode structure′s transverse electro-optic effect was proposed.
基于掺镧锆钛酸铅(PLZT)电光陶瓷材料的光学特性,提出了一种具有上下电极结构的光学相控阵高速光束扫描器。
5) PLZT
锆钛酸铅镧
1.
Preparation and Properties of PLZT Thin Films;
锆钛酸铅镧薄膜的制备与性能研究
2.
PLZT films have many significant applications in the ferroelectric integrated fields such as ferroelectric random access memories (FeRAM), dynamic random access memories (DRAM), etc.
锆钛酸铅镧铁电薄膜(PLZT)由于具备许多优良的铁电、介电性能、压电效应和电光效应等物理性能,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。
3.
Polycrystalline dysprosium (Dy) doped lanthanum zirconate-titanate (PLZT) ceramics with compositional formula [Pb0.
针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0。
6) PLT
掺镧钛酸铅
1.
Ferroelectric lanthanum-doped lead titanate (PLT) thin films have been fabricatedon Si(100)substrates by RF magnetron sputtering.
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜。
2.
1))TiO_3,PLT10],were grown by RF magnetron sputtering,on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates under the same growth conditions,respectively.
采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
3.
1))TiO_3,PLT10]ferroelectric thin films were grown on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates by RF magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
补充资料：锆钛酸铅陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：以钛酸铅-锆酸铅(PbTiO3-PbZrO3)固溶体为主晶相的压电陶瓷。主要组分为PbTixZryO3(x+y=1)。具确钙钛矿结构。居里点150～370℃。机电耦合系数0.2～0.7。介质损耗角正切值约为(40～200)×10-4。主要原料为四氧化三铅、二氧化钛、二氧化锆和少量金属氧化物添加剂。可用一般电子陶瓷工艺制造。其性能随配料中锆、钛比及改性氧化物不同，可在一定范围内变化。一般相界附近可获得机电耦合系统高的材料。烧结后制品一般经极化处理后具有压电性。主要用于制造压电陶瓷超声换能器、水声换能器、陶瓷变压器、蜂呜器以及热释电探测器等。
CAS号：
性质：以钛酸铅-锆酸铅(PbTiO3-PbZrO3)固溶体为主晶相的压电陶瓷。主要组分为PbTixZryO3(x+y=1)。具确钙钛矿结构。居里点150～370℃。机电耦合系数0.2～0.7。介质损耗角正切值约为(40～200)×10-4。主要原料为四氧化三铅、二氧化钛、二氧化锆和少量金属氧化物添加剂。可用一般电子陶瓷工艺制造。其性能随配料中锆、钛比及改性氧化物不同，可在一定范围内变化。一般相界附近可获得机电耦合系统高的材料。烧结后制品一般经极化处理后具有压电性。主要用于制造压电陶瓷超声换能器、水声换能器、陶瓷变压器、蜂呜器以及热释电探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条