1) PLZT films
锆钛酸铅镧薄膜
4) ferroelectric film capacitor
掺镧钛酸铅薄膜
5) PLZT
锆钛酸铅镧
1.
Preparation and Properties of PLZT Thin Films;
锆钛酸铅镧薄膜的制备与性能研究
2.
PLZT films have many significant applications in the ferroelectric integrated fields such as ferroelectric random access memories (FeRAM), dynamic random access memories (DRAM), etc.
锆钛酸铅镧铁电薄膜(PLZT)由于具备许多优良的铁电、介电性能、压电效应和电光效应等物理性能,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。
3.
Polycrystalline dysprosium (Dy) doped lanthanum zirconate-titanate (PLZT) ceramics with compositional formula [Pb0.
针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0。
6) lead zirconate titanate (PZT) film
锆钛酸铅(PZT)薄膜
补充资料：锆钛酸镧铅铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条