1) pulse arc ion plate
脉冲电弧离子镀
3) pulsed bias arc ion plating
脉冲偏压电弧离子镀
1.
Mechanical and optical properties of titanium dioxide films prepared by pulsed bias arc ion plating;
脉冲偏压电弧离子镀TiO_2薄膜的力学与光学性能
2.
Dielectric Films of TiO_2 and AlN by Pulsed Bias Arc Ion Plating;
脉冲偏压电弧离子镀沉积TiO_2与AlN介电薄膜
3.
Fundamentals of Pulsed Bias Arc Ion Plating;
脉冲偏压电弧离子镀的工艺基础研究
4) pulsed vacuum arc deposition
脉冲真空电弧离子镀膜
1.
It s very important to control the thickness of the film in the process of the pulsed vacuum arc deposition (PVAD).
在脉冲真空电弧离子镀膜过程中,膜层厚度的控制至关重要。
5) Pulse arc plasma deposition
脉冲多弧离子镀
1.
Diamond like carbon(DLC) films have been prepared on silicon by pulse arc plasma deposition.
利用脉冲多弧离子镀技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜。
6) arc ion plating
电弧离子镀
1.
Properties of TiAlCrN coating prepared by arc ion plating;
电弧离子镀TiAlCrN多元涂层的性能研究
2.
Effect of Ce on microstructure and properties of Ti-coatings deposited by arc ion plating;
电弧离子镀(Ti,Ce)N涂层组织与性能研究
3.
Microstructure and oxidation resistance of NiCrAlY coating deposited on Co-based high-temperature alloy by arc ion plating technology;
钴基合金电弧离子镀NiCrAlY涂层的组织结构和抗氧化性能
补充资料：离子镀
分子式：
CAS号：
性质：镀料和镀件置于真空室中，在一定真空度下从针形阀通入惰性气体(通常为氩气)，使真空度保持在0.1～1Pa。接通负高压，使蒸发源(镀料；阳极)和镀件(阴极)之间放电，建立低压气体放电的等离子区和阴极区。然后将蒸发源通电加热，使镀料金属气化进入等离子区。在高速电子轰击下，金属气体一部分被电离并在电场作用下被加速，射在镀件表面而形成镀层。离子镀的主要特点是镀层均匀，附着力好，可用于装饰、表面硬化、电子元器件用的金属或化合物镀层、光学用镀层等。
CAS号：
性质：镀料和镀件置于真空室中，在一定真空度下从针形阀通入惰性气体(通常为氩气)，使真空度保持在0.1～1Pa。接通负高压，使蒸发源(镀料；阳极)和镀件(阴极)之间放电，建立低压气体放电的等离子区和阴极区。然后将蒸发源通电加热，使镀料金属气化进入等离子区。在高速电子轰击下，金属气体一部分被电离并在电场作用下被加速，射在镀件表面而形成镀层。离子镀的主要特点是镀层均匀，附着力好，可用于装饰、表面硬化、电子元器件用的金属或化合物镀层、光学用镀层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条