1) physical vapor deposition
物理气相淀积
2) physical vapor deposition
物理汽相淀积
3) vapor deposition
气相淀积
1.
Two important parameters in the process of laser induced plasma chemical vapor deposition film size and deposition rate are deduced with shock wave theory The influence of laser intensity,atmosphere and pedestal temperature on the deposition process is analyse
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。
4) Physical deposition
物理淀积
5) physical vapor deposition
物理气相沉积法
1.
Employing the physical vapor deposition method,Bi2O3 powder was heated to 1050 ℃ at normal pressure in a horizontal tube furnace with the protection of argon gas and oxygen,and then cooled and deposited naturally.
利用物理气相沉积法,在氩气和氧气保护下将氧化铋粉末在水平管式炉中常压加热至1050℃,然后降温沉积,在硅衬底上得到了大量具有规则矩形外形的二维纳米结构——片状氧化铋。
6) PVD
物理气相沉积
1.
PVD (Ti,Al) N Coating and Its Tooling Quality;
物理气相沉积(Ti,Al)N涂层刀具的切削性能
2.
Progress in Research on Corrosion Resistance of PVD Hard Coating;
物理气相沉积技术制备的硬质涂层耐腐蚀的研究进展
3.
NEW PVD COATING & DIFFUSING TECHNIQUE;
物理气相沉积镀渗新工艺
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条