1) MOCVD
金属有机物化学气相淀积
1.
The GaN-based wafers for UV photodetectors array are grown successfully by MOCVD method.
报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料,生长的高Al组分AlxGa1-xN(x≥0。
2) metal organic chemical vapor deposition
金属有机物化学气相淀积
1.
The device structure is optimized firstly,then the structure is grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD).
首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。
2.
The p-type GaN(p-GaN) samples grown at low temperature 870—980℃ on sapphire substrate were prepared by the metal organic chemical vapor deposition technique(MOCVD), and their electrical properties were investigated.
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN)。
3) MOCVD
金属有机化学气相淀积
4) MOCVD
金属有机化合物化学气相淀积
1.
This paper presents a new fuzzy predictive control method for the MOCVD device control system set to handle the non-linearity,time variability and large delay of plant controls.
为解决金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题,给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的复合控制方法。
5) metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)
金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
1.
36N multiple quantum wells(MQWs)structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0。
补充资料：金属有机化合物化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条