1) MBE growth at low temperature
低温分子束外延生长
2) LT-MBE
低温分子束外延
4) the molecular-beam epitaxy growth equation
分子束外延生长方程
5) atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy
原子氢辅助分子束外延生长
6) electron beam epitaxy (EBE)
电子束外延生长[技术]
补充资料：分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延是一种超高真空条件下的物理气相淀积方法。其工作原理是在超高真空系统中，使分子或原子束连续不断地撞击到被加热的衬底表面上而获得均匀外延层。在分子束外延过程中，各种成分的束强度可以分别控制。分子束外延的特点是生长速率相当低，典型的为0.1～0.2μm/h，因而能精细控制生长层的厚度，可以生长极薄的外延层。
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参考词条