1) Laser Molecular Beam Epitaxy
激光分子束外延
1.
The Technique of Laser Molecular Beam Epitaxy for Thin Films;
激光分子束外延制备薄膜技术
2.
Compared with metal organic chemical vapor deposition and magnetron sputtering, laser molecular beam epitaxy is an advanced technology developed in recent years and has stronger and stronger co.
与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比,激光分子束外延技术(L MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术,在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力。
3.
High quality crystalline zinc oxide thin films were grown on sapphire substrate with lower temperature by laser molecular beam epitaxy (L-MBE) and using a sintered ZnO ceramic as target.
用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。
2) L-MBE
激光分子束外延
1.
Highly oriented ZnO thin films were prepared on C-plane sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE) at the growth temperature of 250,300,350,400 and 450℃.
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。
2.
High quality ZnO films are deposited on SiN_x/Si substrate by laser molecular beam epitaxy(L-MBE).
采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密。
3.
C-axis highly oriented ZnO thin films were prepared on C-plane sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE) at the growth temperature of 250℃,300℃,350℃,400℃ and 450℃.
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。
3) Pulsed laser molecular beam epitaxy
脉冲激光分子束外延
4) L-MBE growth process
激光分子束外延工艺
5) Laser molecular beam epitaxy (L MBE)
激光分子束外延(L-MBE)
6) MBE
[英][,em bi: 'i:] [美]['ɛm 'bi 'i]
分子束外延
1.
PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE GROWN GaAs;
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
2.
Studies of MBE-Grown ZnS_xSe_(1-x) Films for Liquid-Crystal-Light-Valve;
分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究
3.
The Study of HgCdTe on Si by MBE;
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
补充资料：分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延是一种超高真空条件下的物理气相淀积方法。其工作原理是在超高真空系统中，使分子或原子束连续不断地撞击到被加热的衬底表面上而获得均匀外延层。在分子束外延过程中，各种成分的束强度可以分别控制。分子束外延的特点是生长速率相当低，典型的为0.1～0.2μm/h，因而能精细控制生长层的厚度，可以生长极薄的外延层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条