1) molecular beam epitaxy(MBE)
分子束外延(MBE)
2) molecular beam epitaxy (MBE)
分子束外延(MBE)
3) Laser molecular beam epitaxy (L MBE)
激光分子束外延(L-MBE)
4) gas source molecular beam epitaxy (GS MBE)
气体源分子束外延(GS-MBE)
5) plasma assisted molecular beam epitaxy (P-MBE)
等离子体辅助分子束外延(P-MBE)
6) MBE
[英][,em bi: 'i:] [美]['ɛm 'bi 'i]
分子束外延
1.
PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE GROWN GaAs;
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
2.
Studies of MBE-Grown ZnS_xSe_(1-x) Films for Liquid-Crystal-Light-Valve;
分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究
3.
The Study of HgCdTe on Si by MBE;
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
补充资料：分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延是一种超高真空条件下的物理气相淀积方法。其工作原理是在超高真空系统中，使分子或原子束连续不断地撞击到被加热的衬底表面上而获得均匀外延层。在分子束外延过程中，各种成分的束强度可以分别控制。分子束外延的特点是生长速率相当低，典型的为0.1～0.2μm/h，因而能精细控制生长层的厚度，可以生长极薄的外延层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条