1) low pressure epitaxial growth
低压外延生长
2) MBE growth at low temperature
低温分子束外延生长
3) epitaxial growth
外延生长
1.
Scanning tunneling microscopy studies on the epitaxial growth of organic semiconductors;
有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究
2.
Research on the epitaxial growth technique of 3C SiC on silicon substrates;
硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术
3.
sing a rotating boat system for liquid phase epitaxial growth the GaP epitaxy has been prepared.
采用旋转舟液相外延生长系统获得ＧａＰ外延片，由它制得ＣａＰ红色发光二极管，其外量子效率可高达１０％（在电流密度为１。
4) epitaxy growth
外延生长
1.
The authors analyze the process characteristics of epitaxy growth for GaN single crystal films using ECR MOCVD devices, and the main factors which affect the GaN crystalline quality during the epitaxy growth.
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 。
5) epitaxy
[英]['epi,tæksi] [美]['ɛpɪ,tæksɪ]
外延生长
1.
(2) Using ion-beam assisted chemical vapor deposition, a 100% pure single crystal c-BN film on diamond substrate was grown by epitaxy.
0eV的c-BN薄膜 ;(2 )用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD) ,在金刚石上外延生长出立方含量达 10 0 %的单晶c -BN薄膜 ;(3)用微波电子回旋共振CVD法 (MW -ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜 。
补充资料：分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延（molecularbeamepitaxy(MBE)）
分子束外延是一种超高真空条件下的物理气相淀积方法。其工作原理是在超高真空系统中，使分子或原子束连续不断地撞击到被加热的衬底表面上而获得均匀外延层。在分子束外延过程中，各种成分的束强度可以分别控制。分子束外延的特点是生长速率相当低，典型的为0.1～0.2μm/h，因而能精细控制生长层的厚度，可以生长极薄的外延层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条