1) Cu-Ti-O thin film
Cu-Ti-O薄膜
1.
From the results,conclusions can be obtained:Cu-Ti-O thin film are mainly composed of anatase TiO_2,CuO and Cu_2Ti_4O;The solution,which is disposed with of Ti concentration in 1.
本研究采用溶胶-凝胶法,以TiCl_4和Cu盐(CuCl_2·2H_2O、Cu(CH_3OO)_2·H_2O、Cu(NO_3)_2·3H_2O)为原料,乙醇为溶剂,在Al_2O_3陶瓷表面形成Cu-Ti-O薄膜,讨论镀膜溶液的配制和涂覆次数对薄膜的性能及相组成的影响,将金属Cu与镀膜的Al_2O_3陶瓷放置于真空环境中进行座滴实验,研究薄膜成分和润湿温度对Al_2O_3/Cu界面润湿性的影响,并对Al_2O_3/Cu的润湿界面进行微观分析。
2) Cu Ti films
Cu-Ti薄膜
3) Ti-O film
Ti-O薄膜
1.
In this work, Ti-O films was synthesized by magnetron sputtering and etched subsequently by Ar ion.
利用磁控溅射合成具有一定特性的Ti-O薄膜。
4) Ti-O films
Ti-O薄膜
1.
In this paper, Ti-O films were prepared on various substrates by Vacuum Magnetic Filtered Arc Plasma Deposition (VMFAPD) at different oxygen partial pressure, substrate bias and deposition temperature.
本文采用真空磁过滤电弧离子镀技术,通过改变氧分压、基体偏压、沉积温度等工艺参数在不同的基体上制备了Ti-O薄膜。
2.
Ti-O films were prepared on silicon(110) and glass slide substrate by Vacuum Magnetic Filtered Arc Plasma Deposition at different oxygen partial pressure(0.
采用真空磁过滤电弧离子镀技术在单晶硅(100)和载玻片表面沉积Ti-O薄膜,研究了不同氧分压(0。
5) Ti-O-N film
Ti-O-N薄膜
6) Ti-Ta-O film
Ti-Ta-O薄膜
补充资料：Cu
铜
元素中文名:铜 原子量：55.847 熔点：1083c 原子序数：29
元素英文名: copper 价电子：3d10 沸点：2567c 核外电子排布:2,8,18,1
元素符号： cu 英文名： copper 中文名： 铜
相对原子质量： 63.55 常见化合价： +1,+2 电负性： 1.9
外围电子排布： 3d10 4s1 核外电子排布： 2,8,18,1
同位素及放射线： cu-61[3.4h] cu-62[9.7m] *cu-63 cu-64[12.7h] cu-65 cu-67[2.6d]
电子亲合和能： 118.3 kj·mol-1
第一电离能： 745 kj·mol-1 第二电离能： 1958 kj·mol-1 第三电离能： 3555 kj·mol-1
单质密度： 8.96 g/cm3 单质熔点： 1083.0 ℃ 单质沸点： 2567.0 ℃
原子半径： 1.57 埃 离子半径： 0.73(+2) 埃 共价半径： 1.17 埃
常见化合物： cuo cu2o cu2s cucl2 cu(oh)2 cuso4 cufes2 [cu(nh3)2]oh cuf2 cubr2
发现人： 远古就被发现 时间： 0 地点： 未知
名称由来：
元素符号来自拉丁文“cuprum”（以铜矿著称的塞浦路斯岛）。
元素描述：
柔韧有延展性的红棕色金属。
元素来源：
自然界很少存在铜单质。铜元素通常只见于硫化物如黄铜矿(cufes2)、coveline(cus)、辉铜矿，或者氧化物如赤铜矿中。
元素用途：
主要用作导体，也用于制造水管。铜合金可用作首饰和钱币的材料。
网络用语:see you，再见
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条