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1)  sputtered microcrystalline coating
溅射微晶涂层
1.
The oxidation behavior of Ni-20Cr alloy and its sputtered microcrystalline coating have been studied in the presence of water vapor at 1000℃.
研究了Ni- 2 0Cr合金及其溅射微晶涂层在 10 0 0℃下H2 O/O2 中的氧化行为 。
2)  sputtered coating
溅射涂层
1.
Post-aluminizing was performed on the sputtered coating to further upgrade its corrosion resistance.
结果表明:溅射涂层中的Cr和表面生成的Cr2O3会与盐和水蒸气反应,涂层与基体产生剥离,腐蚀相当严重,失去保护作用;渗Al涂层表面形成了单相的薄而致密的Al2O3膜,Al2O3保护膜在盐和水蒸气环境中具有很高的化学稳定性,可以对原溅射涂层起到有效的保护作用。
3)  sputtered NiCrAlY coating
溅射NiCrAlY涂层
1.
The isothermal oxidation of sputtered NiCrAlY coatings was performed in air at 900℃,1000℃ and 1100℃.
对溅射NiCrAlY涂层进行了 90 0℃ ,10 0 0℃ ,110 0℃空气中高温氧化。
4)  MoS_2 sputtering coatings
MoS_2溅射涂层
5)  microcrystalline coating
微晶涂层
1.
Processes such as alloying, fabricating multiphase alloys and composites, directional solidification, mechanical alloying, hot pressing and hot isostatic pressing, combustion synthesis and microcrystalline coating to improve mechanical properties and high temperature oxidation resistance properties of the alloys are reviewed and discussed.
对NiAl金属间化合物的国内外研究现状如改善NiAl合金力学性能和高温抗氧化性能等所 采用的合金化、制备多相合金、制备复合材料、定向凝固、机械合金化、热压及热等静压、燃烧合成、 微晶涂层等工艺以及NiAl合金的超塑性行为进行了系统综述,着重介绍并论述了合金化及定向 凝固等工艺。
2.
The isothermal and cyclic oxidation behaviors of cast NiAl and NiAlY alloys and sputtered NiAl microcrystalline coating were investigated at 1000℃ in air by TGA, XRD and SEM.
利用 TGA,XRD,SEM对铸造β-NiAl和NiAlY合金以及溅射NiAl微晶涂层在1000℃空气中的恒温及循环氧化行为进行了研究,三种材料的恒温氧化动力学均近似符合抛物线规律,氧化过程中都有相变发生,微晶化能够促使细小、紧密、单一完整的α-Al2O3氧化膜形成,同时微晶化与添加稀土元素Y均明显提高循环氧化过程中氧化膜的粘附性。
3.
Ni-5Cr-5A1(at% ) microcrystalline coating was prepared on the substrate of the are material by magnetron sputtering.
利用磁控溅射在M-5Cr-5A1(原子分数,%)合金上制备与基体相同成分的微晶涂层。
6)  NiAl microcrystalline coating
NiAl微晶涂层
1.
The effect of NiAl microcrystalline coating prepared by magnetron-sputtering on the isothermal oxidation behaviors of two NiAl-based eutectic alloys was investigated in static air at 1000-1150℃.
研究了磁控溅射NiAl微晶涂层对NiAl-28Cr-5Mo-1Hf和NiAl-33。
补充资料:晶界层电容器
分子式:
CAS号:

性质:由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体,电阻率约为102~105Ω·cm或更低,晶粒发育较好,尺寸约20~100μm或更大,晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层,厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高,约数万到数十万,介质损耗较低,温度系数较小,在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化,空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后,再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层,即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。

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参考词条