1) electrical and gas sensitive properties
Y2O3-SnO2薄膜
2) ZrO 2(Y 2O 3) thin film
ZrO2(Y2O3)薄膜
3) Y2O3 films
Y2O3薄膜
1.
The structure,components and electrical characteristics of Y2O3 films annealed at different temperatures are studied.
采用射频磁控反应溅射法,成功地在n-Si衬底上制备了高κ栅介质Y2O3薄膜。
4) SnO2 thin film
SnO2薄膜
1.
Ag-doped SnO2 thin films are deposited on Al2O3 substrates by spin-coating using unalcolate sol-gel synthesis.
采用非醇盐溶胶—凝胶工艺在A l2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。
5) SnO_2 thin film
SnO2薄膜
1.
The sensor element is the SnO_2 thin film doped Fe~(3+) which prepared by the Sol-gel method deposition on alumina tube.
传感器中气体敏感元件是利用溶胶-凝胶法在陶瓷管外表面制备的Fe3+搀杂SnO2薄膜。
6) nanosized SnO2-CuO thin films
SnO2-CuO薄膜
补充资料：silver-SnO2-WO3 materials
分子式：
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条