1) Sb-doped SnO_2 film
Sb掺杂SnO2薄膜
1.
Sb-doped SnO_2 films(antimony-doped tin oxide,ATO) were prepared by chemical vapor deposition(CVD) method to analyze the effect of dopant amount on the structure and properties of the ATO films.
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。
2) Sb doped SnO2 thin film
Sb掺杂的SnO2薄膜
3) Se film doped with Sb
掺杂Sb的Se薄膜
5) film doping
薄膜掺杂
补充资料：silver-SnO2-WO3 materials
分子式：
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条