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1)  Sb doped SnO2 thin film
Sb掺杂的SnO2薄膜
2)  Sb-doped SnO_2 film
Sb掺杂SnO2薄膜
1.
Sb-doped SnO_2 films(antimony-doped tin oxide,ATO) were prepared by chemical vapor deposition(CVD) method to analyze the effect of dopant amount on the structure and properties of the ATO films.
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。
3)  Se film doped with Sb
掺杂Sb的Se薄膜
4)  antimony doped tin oxide film
Sb掺杂SnO_2薄膜
5)  Sb doped tin oxide
Sb掺杂的SnO_2
1.
Sb doped tin oxide (ATO) nanometer powders have the characteristics of ordinary ATO and nanosized powders.
Sb掺杂的SnO_2(antimony doped tin oxide,ATO)纳米粉体集中了普通ATO材料和纳米粉体的优点,是一种极具发展潜力的新型导电材料,在显示器件、电致变色、节能建筑玻璃、锂离子电池、太阳能利用、电磁屏蔽、抗静电等诸多领域有着广泛的应用前景。
6)  Co-doped ZnO films
Co掺杂的ZnO薄膜
补充资料:silver-SnO2-WO3 materials
分子式:
CAS号:

性质:银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性,减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料,用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。

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