1) Si1-xCx alloy
Si1-xCx合金
2) Gd_(1-x)C_x alloy
Gd1-xCx合金
3) Si_1-xGe_x alloy
Si1-xGex合金
1.
Ab initio total-energy calculations were used to investigate the behaviors of C_iC_s and C_iO_i defects in Si and Si_1-xGe_x alloys.
采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质。
4) Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy
Si1-x-yGexCy合金
1.
Present status of research in the physical characteristics of Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy is discussed.
文章对Si1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析了替位式碳原子在Si1-xGex合金应变补偿和能带工程中的作用,并对其行为机理进行了分析和总结。
5) Ge_(1-x)C_x alloy films
Ge1-xCx合金薄膜
1.
The Ge_(1-x)C_x alloy films with high carbon of 3% were epitaxially deposited on Si(100) substrates by chemical vapor deposition (CVD) method.
用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。
6) Si1-x-yGexCy alloy film
Si1-x-yGexCy合金薄膜
1.
Epitaxial growth of Ge graded Si1-x-yGexCy alloy film on Si(100) by chemical vapor deposition;
40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响。
补充资料：东北轻合金加工厂生产的铝合金挤压管材和空心材
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参考词条