说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 溅射靶
1)  sputtering target
溅射靶
1.
Technological methods of preparing indium tin oxide(ITO) powder and ITO sputtering target are summarized and some remark on them are made in this paper.
对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法,水溶液共沉淀法,电解法,溶胶-凝胶法,喷雾燃烧法,喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述。
2)  sputtering target
溅射靶材
1.
The current market condition and development tendency of high purity copper sputtering targets were introduced.
简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势;并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观组织控制做了简单的阐述。
2.
ZAO thin films have a wide application prospect owing to its perfect optical and electrical characteristics(ZAO thin films prepared with a sputtering target doped with Al_2O_3 (3% mass fu.
由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4。
3)  multi target sputtering
多靶溅射
4)  double-target sputtering
双靶溅射
5)  tantalum sputtering target
钽溅射靶
1.
Forming tantalum based films (tantalum, tantalum nitride, tantalum silicide, tantalum carbide) on Si substrate via both tantalum sputtering and chemical vapor deposition(CVD) as barrier layer in large scale integration circuitry ( LSIC) to prevent copper diffusion into Si layer and specification of tantalum sputtering target and the method of fabrication and CVD process were reviewed.
介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜 (金属钽、碳化钽、氮化钽、硅化钽、氮化硅化钽、氮化碳化钽 )作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层 ,介绍了钽溅射靶的技术要求 ,加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。
6)  multi_component sputtering
多元靶溅射
补充资料:靶扫描和靶重建


靶扫描和靶重建


影像学术语。CT检查中,对扫描野(SFOV)中某一兴趣区扫描时行较大矩阵重建的方式称靶扫描。在扫描及影像重建完成后,对显示野(DFOV)中某一兴趣区重新进行较大矩阵重建成像的方式称靶重建。前者是直接利用扫描野中兴趣区的较大量的原始数据进行影像重建,后者则是利用常规扫描中采集的原始数据进行兴趣区的影像重建。两种技术实现的基本前提都是一次扫描所获得的投影测量数据必须能够满足兴趣区影像重建矩阵所需的信息量。靶扫描在扫描前预先设定兴趣区,成像后不储存非兴趣区原始数据;靶重建则需储存层面扫描所获得的全部原始数据,占用较多的磁盘空间,但以后可在图像中任选兴趣区进行局部重建。两种技术在成像效果(空间分辨率,对比分辨率)上是一致的,这与单纯的局部图像放大(zoom)不同。后者没有增加兴趣区内像素数量,虽使影像扩大但分辨率并未提高,清晰度反有下降。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条