1) direct current target detection sputtering
直流对靶溅射
2) direct current facing targets magnetron sputtering
直流对靶磁控溅射
1.
direct current facing targets magnetron sputtering and vacuum annealing.
本文采用两种制备方法在Si3N4基底上制备得到具有金属-绝缘体相变特性的氧化钒薄膜,即:一、离子束溅射高价非稳态氧化钒薄膜和还原热处理制备;二、直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜和真空热处理制备。
2.
Vanadium oxide thin films were deposited by reactive direct current facing targets magnetron sputtering,and then processed in oxygen ambience to fabricate phase transition vanadium oxide thin films.
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。
3) Plane target sputtering
平面靶直流溅射
4) direct current magnetron co-sputtering
双靶直流共溅射法
5) DC reactive magnetron co-sputtering with two targets
双靶直流磁控共溅射
1.
Cu-doped TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron co-sputtering with two targets.
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。
6) Facing targets sputtering
对向靶溅射
1.
the functionally gradient iron nitrides thin films were prepared by facing targets sputtering.
用对向靶溅射仪制备了具有梯度结构的氮化铁薄膜材料。
补充资料：直流溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条