1) magnetic tunneling junction
磁隧穿结
2) magneto tunneling
磁隧穿
1.
X Γ magneto tunneling oscillations in asymmetrical GaAs/AlAs double barrier structures (DBS) were reported.
报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好。
3) magnetic tunneling
磁滞隧穿
1.
Spin-dependent transport of magnetic tunneling junction(MTJ) composed of Fe-filled Carbon Nanotube(CNT) has been investigated in this paper using first principle based on density function theory(DFT) coupled with Green Function.
文章利用基于密度泛函的第一性原理和格林函数相结合的方法研究了由铁磁性原子(Fe)填充(3,3)C纳米管构成的磁滞隧穿结的自旋输运性质。
5) multiple tunneling junction
多隧穿结
6) tunneling magnetoresistance
隧穿磁电阻
1.
The MTJs with tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of 30%—48% can be directly obtained for the structure of Ta(5 nm)/Cu(25 nm)/Ni_ 79Fe_ 21(.
采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25nm)/Ni79Fe21(5nm)/Ir22Mn78(10nm)/Co75Fe25(4nm)/Al(0·8nm)-O/Co75Fe25(4nm)/Ni79Fe21(20nm)/Ta(5nm)。
2.
The typical values of junction resistance_area product and tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of the MTJs are 16 kΩμm 2 and 18% respectively.
利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 ,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要
3.
For example, the MTJs of Co/Al 2O 3/Co with a tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of 17 2%, the junction resistance of .
例如 :利用狭缝宽度为 1 0 0 μm的金属掩模 ,直接制备出室温隧穿磁电阻比值为 1 7 2 %的磁性隧道结Co Al2 O3 Co,其结电阻为 76Ω ,结电阻和结面积的积矢为 76× 1 0 4 Ωμm2 ,自由层的偏转场为 1 1 1 4A m ,并且在外加磁场 0— 1 1 1 4A·m- 1 之间时室温磁电阻比值从零跳跃增加到 1 7 2 % ,磁场灵敏度达到 0 1 % (1 0 3A·m- 1 ) 。
补充资料：潜隧
1.亦作"潜?"。 2.墓中隧道。
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参考词条