1) tin dioxide optics film
二氧化锡光学薄膜
2) SnO 2 thin film
二氧化锡薄膜
1.
SnO 2 thin films have been prepared by means of PECVD.
用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响。
3) SnO 2 Sb film
二氧化锡-锑薄膜
5) transparent conductive tin oxide thin films
二氧化锡透明导电薄膜
6) antimony-doped tin dioxide thin film
锑掺杂二氧化锡薄膜
补充资料：银-氧化锡-氧化铟
分子式：
CAS号：
性质：银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料，抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85～10.4g/cm3。布氏硬度785～1176.8MPa。电阻系数3.00～3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料，作断开电接点。
CAS号：
性质：银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料，抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85～10.4g/cm3。布氏硬度785～1176.8MPa。电阻系数3.00～3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料，作断开电接点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条