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1)  tin dioxide optics film
二氧化锡光学薄膜
2)  SnO 2 thin film
二氧化锡薄膜
1.
SnO 2 thin films have been prepared by means of PECVD.
用PECVD方法制备出二氧化锡薄膜,利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布,并分析了它对薄膜电阻的影响。
3)  SnO 2 Sb film
二氧化锡-锑薄膜
4)  tin dioxide thin film
氧化锡薄膜
5)  transparent conductive tin oxide thin films
二氧化锡透明导电薄膜
6)  antimony-doped tin dioxide thin film
锑掺杂二氧化锡薄膜
补充资料:银-氧化锡-氧化铟
分子式:
CAS号:

性质:银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料,抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85~10.4g/cm3。布氏硬度785~1176.8MPa。电阻系数3.00~3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料,作断开电接点。

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