1) TiO2 film photonic crystal
二氧化钛薄膜光子晶体
2) TiO_2 nanocrystalline porous film
二氧化钛纳晶多孔薄膜
3) nanocrystallineTiO2film
纳晶二氧化钛薄膜
4) amorphous titanium dioxide film
非晶氧化钛薄膜
5) TiO2 thin film
二氧化钛薄膜
1.
Coating the TiO2 Thin Film on the Active Carbon with CVD and Photo-Catalytic Degradation of Acid Violet Red;
用CVD法在活性炭上镀二氧化钛薄膜光催化降解酸性品红
2.
The results show that TiO2 fine particle appeared anatase structure in TiO2 thin films,and formed the composite phase structure of anatase,rutile and Brookit of TiO2 powders.
实验结果表明:溶胶的陈化时间、膜的热处理温度、涂膜层数等都将直接影响二氧化钛薄膜的紫外可见光谱和禁带宽。
6) titania film
二氧化钛薄膜
1.
The results of SEM and TF-XRD indicate that a titania film layer with anatase and rutile structure was formed on the surface of NiTi SMA after oxidized with hydroxyl radical (·OH) as an oxidant.
通过高级氧化法对NiTi形状记忆合金进行表面改性,SEM和TF-XRD分析证实,羟自由基(·OH)氧化后的NiTi形状记忆合金表面生成了金红石和锐钛矿结构的二氧化钛薄膜。
补充资料：二氧化钛晶体
分子式：TiO2
CAS号：
性质：为氧化物半导体。离子键结合，有一定共价键成分。正方晶系金红石结构，晶格常数0.459nm。密度4.26g/cm3。熔点1847℃。禁带宽度3.00eV。由于钛的过剩，一般为n型材料。电子迁移率2×10-5m2/(V·s)。采用火焰熔融法、液相生长法、区域熔炼法制备晶体，或用气相反应、蒸发、溅射法等制成薄膜。为半导体材料。
CAS号：
性质：为氧化物半导体。离子键结合，有一定共价键成分。正方晶系金红石结构，晶格常数0.459nm。密度4.26g/cm3。熔点1847℃。禁带宽度3.00eV。由于钛的过剩，一般为n型材料。电子迁移率2×10-5m2/(V·s)。采用火焰熔融法、液相生长法、区域熔炼法制备晶体，或用气相反应、蒸发、溅射法等制成薄膜。为半导体材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条