1) SnO2 films
二氧化锡膜
2) SnO 2 thin film
二氧化锡薄膜
1.
SnO 2 thin films have been prepared by means of PECVD.
用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响。
3) SnO 2 Sb film
二氧化锡-锑薄膜
4) tin oxide film
氧化锡膜
5) SnO_2
二氧化锡
1.
The Study of Preparing Nanocrystalline SnO_2 by Sol-gel Method;
溶胶-凝胶法制备纳米二氧化锡的研究
2.
AFM characterization and gas sensitivity of SnO_2 thin films;
二氧化锡纳米薄膜的AFM研究与气敏性能测试
3.
Preparation of SnO_2 Nanometer Crystallites and Study of the Optical Propertier of Their Exciton States;
纳米材料二氧化锡的制备和激子态光学特性研究
6) tin oxide
二氧化锡
1.
Synthesis of antimony-doped tin oxide nanoparticles by complexing-hydrothermal oxidation method;
配合-水热氧化法合成锑掺杂二氧化锡纳米粉末
2.
The mesoporous carbon supported nanocrystalline tin oxide composite(denoted as CMK-3-SnO2) is prepared by impregnating SnCl4 in ethanol in mesoporous carbon support,which is obtained from mesoporous SiO2 SBA-15 template using sucrose as the carbon source.
利用介孔氧化硅分子筛SBA-15作为硬模板、蔗糖作为碳源制备介孔碳CMK-3,并用浸渍法负载纳米晶二氧化锡得到复合超电容材料CMK-3-SnO2。
3.
Antimony doped tin oxide(ATO) and Indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by a sol-gel process using inorganic metal salts as precursors.
本文以无机盐为出发原料，采用溶胶—凝胶法制备了光学和电学性能较为优良的掺锑二氧化锡(ATO)薄膜和掺锡氧化铟(ITO)薄膜，进一步研究了热处理气氛、温度、时间、掺杂量对薄膜电学及光学性能的影响。
补充资料：氧化锡膜
分子式：
CAS号：
性质：组成为氧化锡的薄膜。特点为高导电性，在可见光波段有良好的透光性，较高的红外反射率和紫外吸收性。氧化锡膜常用热解化学气相沉积(TCVD)或反应磁控溅射法制备。主要用于：(1)透明电极，用于光电元件、太阳能电池、场致发光元件和显示器件；(2)电阻器；(3)既透光又能反射红外的窗玻璃节能膜；(4)汽车防霜玻璃。与氧化锡类似的透明导电膜还有ITO膜，由80％In2O3和20％SnO2组成，通常用磁控溅射或射频反应溅射制备。
CAS号：
性质：组成为氧化锡的薄膜。特点为高导电性，在可见光波段有良好的透光性，较高的红外反射率和紫外吸收性。氧化锡膜常用热解化学气相沉积(TCVD)或反应磁控溅射法制备。主要用于：(1)透明电极，用于光电元件、太阳能电池、场致发光元件和显示器件；(2)电阻器；(3)既透光又能反射红外的窗玻璃节能膜；(4)汽车防霜玻璃。与氧化锡类似的透明导电膜还有ITO膜，由80％In2O3和20％SnO2组成，通常用磁控溅射或射频反应溅射制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条