1) trap density
陷阱密度
1.
TDDB evaluation experiments are implemented on the thin gate oxides MOS capacitor,and a method of precise measurement and characterization the trap density and accumulative failure are presented.
采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 。
2) trap state density
陷阱态密度
3) slow trap desity
慢界面陷阱密度
4) density of trapping charges
陷阱电荷密度
1.
A method for measuring the density of trapping charges in thin gate oxides;
薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法
5) Interface trap density
界面陷阱密度
6) critical trap density
临界陷阱密度Nbd
1.
The calculated critical trap density N bd by total charge to breakdown Q bd and ΔV bd is valuable for quantitative evaluation of the reliability of thin gate dielectric film.
此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd。
补充资料：流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）
流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）：当利率极低，人们会认为这种利率不大可能再降，或者说有价证券市场价格不大可能上升而只会跌落时，人们不管有多少货币都愿意持在手中，这种情况被称为%26#8220;凯恩斯陷阱%26#8221;或%26#8220;流动偏好陷阱%26#8221;。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条