1) trapping density
俘陷密度
1.
The trapping density can be adjusted by changing the parameters in the scheme and a reasonable value is obtained.
本文用简化的中微子泄漏模式代替输运方程，计算超新星坍缩过程中的中微子变化，通过调节模式中的参数可改变中微子的俘陷密度，使之达到较为合适的值，还讨论了在中微子俘陷密度到达之前，特定密度区段（10~(-10)－5×10~(11)g／cm~3）内使电子俘获率有显著变化的一种参数方法及研究结果。
2) trap density
陷阱密度
1.
TDDB evaluation experiments are implemented on the thin gate oxides MOS capacitor,and a method of precise measurement and characterization the trap density and accumulative failure are presented.
采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 。
3) defect density
缺陷密度
1.
It was shown that the film surface defect density could decreased by applying deposition temperature.
结果表明:通过加温可以降低薄膜的表面粗糙度与缺陷密度大小。
2.
The results show that the defect density is decreased great after treatment.
6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低。
4) defects density
缺陷密度
1.
Low defects density is necessary for high quality software.
软件的缺陷是软件质量的重要因素之一,低缺陷密度的软件是高质量软件的必要条件。
5) defect densities
缺陷态密度
6) high defect-density region
密度缺陷区
补充资料：俘邑
1.在战争中获取﹑因而对其拥有所有权的城邑。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条