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1)  velocity pitfall
速度陷阱
1.
The evolution of understandings about structure Benbutu in Yanqi basin: A case study of velocity pitfalls;
焉耆盆地本布图构造认识过程—— 一个速度陷阱的典型实例
2.
After the issue of velocity pitfall in this area was solved in 2001, the seismic data were reprocessed through 3D pre-stack depth migration, structural shapes were materialized, oil - bearing area increased from 3.
2 0 0 1年在解决了本区块速度陷阱问题后 ,对地震资料重新进行三维叠前深度偏移处理 ,结合地质及开发动态资料分析了油层分布规律 ,落实了构造形态 ,构造含油圈闭面积由 3 。
2)  trap depth
陷阱深度
1.
The mainly characteristic of trapping materials is the trap depth.
表征陷阱材料的主要物理量是陷阱深度,准确计算出陷阱深度对于研究陷阱材料具有重要的意义。
2.
According to the basic model that describes the microcosmic dynamics process of light-generated carriers,it is analyzed that the free photoelectron decay time changes with the trap depth and density of shallow electron traps.
依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。
3.
The definitions of long axis trap and trap depth are given.
定义了长轴陷阱及陷阱深度,用它们刻划了该算法迭代过程中锯齿现象的几何特征。
3)  trap density
陷阱密度
1.
TDDB evaluation experiments are implemented on the thin gate oxides MOS capacitor,and a method of precise measurement and characterization the trap density and accumulative failure are presented.
采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 。
4)  trap concentration
陷阱浓度
1.
The trap concentration and tunnel conductance in aluminum anode oxidized films under high field.;
高压铝阳极氧化膜的陷阱浓度与隧穿导电
5)  Institutional Trap
制度陷阱
6)  acceleration trap
加速化陷阱
1.
An empirical study on acceleration traps in patent R&D:The evidence from Chinese listed mechanical manufacturing companies;
专利研发中“加速化陷阱”现象的实证研究——以机械制造业上市公司三种专利产出为例
补充资料:流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱(Keynes trap)

流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱(Keynes trap):当利率极低,人们会认为这种利率不大可能再降,或者说有价证券市场价格不大可能上升而只会跌落时,人们不管有多少货币都愿意持在手中,这种情况被称为%26#8220;凯恩斯陷阱%26#8221;或%26#8220;流动偏好陷阱%26#8221;。

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