1) trap depth
陷阱深度
1.
The mainly characteristic of trapping materials is the trap depth.
表征陷阱材料的主要物理量是陷阱深度,准确计算出陷阱深度对于研究陷阱材料具有重要的意义。
2.
According to the basic model that describes the microcosmic dynamics process of light-generated carriers,it is analyzed that the free photoelectron decay time changes with the trap depth and density of shallow electron traps.
依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。
3.
The definitions of long axis trap and trap depth are given.
定义了长轴陷阱及陷阱深度,用它们刻划了该算法迭代过程中锯齿现象的几何特征。
2) trap depth distribution
陷阱深度及分布
3) chasm traps
深坑陷阱
1.
This paper introduces the fan and chasm traps in ER models,analyses the causes and problems of connection traps,and presents the solution for the problems.
介绍了实体-联系模型中出现的扇形陷阱和深坑陷阱,分析了两种连接陷阱产生的原因及导致的后果并提出了问题的解决方法。
4) deep level trap
深能级陷阱
1.
Both positive and negative frequency dispersions of transconductance are simualted and analyzed with deep level traps located at the channel/buffer interface.
对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移。
5) deep trap center
深陷阱中心
1.
The deep trap center of AlN grown on Si substrate is investigated with PL spectr a and Raman spectra.
通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 。
6) deep electron trap
深电子陷阱
补充资料：流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）
流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）：当利率极低，人们会认为这种利率不大可能再降，或者说有价证券市场价格不大可能上升而只会跌落时，人们不管有多少货币都愿意持在手中，这种情况被称为%26#8220;凯恩斯陷阱%26#8221;或%26#8220;流动偏好陷阱%26#8221;。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条