1) Cr-Cu-N film
铬-铜-氮薄膜
1.
Cr-Cu-N films were deposited using low energy ion beam assisted magnetron sputtering (IBAMS).
应用低能离子束辅助磁控溅射(IBAMS)沉积铬-铜-氮薄膜,研究了铜含量和轰击能量对薄膜结构、硬度和断裂韧度的影响。
3) chrome-copper-chrome film electric pole
铬铜铬薄膜电极
4) Cu3N thin film
氮化铜薄膜
1.
Anode materials of Cu3N thin film were prepared on stainless steel by radio frequency magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氮化铜薄膜电极。
5) copper nitride film
氮化铜薄膜
1.
Copper nitride film and Fe-doped copper nitride film are deposited on glass substrates by reactive magnetron sputtering at N_2-gas partial pressure of 0.
5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜。
6) copper nitride thin films
氮化铜薄膜
1.
Effect of nitrogen pressure on structure and optical band gap of copper nitride thin films;
氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响
补充资料：铬硅电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条