3) chrome-copper-chrome film electric pole
铬铜铬薄膜电极
4) Cr-Cu-N film
铬-铜-氮薄膜
1.
Cr-Cu-N films were deposited using low energy ion beam assisted magnetron sputtering (IBAMS).
应用低能离子束辅助磁控溅射(IBAMS)沉积铬-铜-氮薄膜,研究了铜含量和轰击能量对薄膜结构、硬度和断裂韧度的影响。
5) Chromium oxide coating
氧化铬薄膜
1.
Chromium oxide coatings were deposited by radio frequency reactive magnetron sputtering.
本论文采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化铬硬质薄膜,利用X射线、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)研究了氧化铬薄膜微观结构及生长机理,并综合利用纳米力学测试系统、UMT显微力学测试系统研究了薄膜的微观结构与力学性能之间的相关性。
补充资料：铬硅电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条